Etude des nanostructures de silicium par la technique EBIC

Abstract

Dans ce travail, on a étudié l'application de la technique EBIC aux nanostructures du silicium en élaborant un modèle numérique pour l'interaction électron-matière et le courant collecté en utilisant la méthode Monte Carlo. La procédure de calcul utilisée dans cette modélisation prend en compte la marche aléatoire des électrons, les différentes émissions électroniques (transmises, rétrodiffusées et secondaires), l'efficacité de collecte, le courant collecté par la pointe conductrice et l’influence de plusieurs paramètres . Nos résultats, sont comparés aux ceux disponibles dans la littérature et ils sont en bon accord. Cette comparaison a permis de déduire la valeur de certains paramètres physiques caractérisant l’échantillon considéré. Ce point nous a permis de constater que malgré la simplicité du modèle numérique élaboré, il est fiable pour la description des nanostructures de silicium par la technique EBIC. In this work, we studied the EBIC technique applied on silicon nanostructures by elaboration of a numerical model to simulate the interaction electron-matter using the Monte Carlo method. The procedure of calculation used in this modelling takes into count the random walk of the electrons, different electronics emissions (transmitted, backscattered and secondary), collection efficiency and the current collected by a conductor point and the influence of different parameters. Our results, are compared with those available in the literature, and they are in concord. This comparison made it possible to deduce some physical parameters value characterizing the sample considered. This point enabled us to note that in spite of the simplicity of the elaborate numerical model, it is reliable for the description of the silicon's nanostructures by EBIC technique. في هذا العمل قمنا بدراسة تقنية التيار المحرض من طرف الحزمة الالكترونية المصطدمة بتطبيقها على عينات نونية للسيلكون بانجاز نموذج حسابي لاجل محاكاة الاصطدام الكترون - مادة و التيار المحصل باستعمال طريقة مونتي كارلو. طريقة الحساب المستعملة في هذه النمذجة تأخذ بعين الاعتبار السير العشوائي للالكترونات، مختلف الارسالات الالكترونية (الخارجة، العائدة و الثانوية)، مردودية التحصيل و التيار المحصل بالنقطة الناقلة و كذلك تأثير بعض المعاملات. مقارنة النتائج المتحصل عليها مع النتائج المتواجدة في المراجع أظهرت توافقا جيدا. هذه المقارنة سمحت لنا باستنتاج قيم بعض المعاملات الفيزيائية المميزة لعينة السليكون المعتبرة. هذه النقطة سمحت لنا باستخلاص انه رغم بساطة النموذج الحسابي المستعمل الا انه صالح لوصف عينات ذات ابعاد نونية للسليكون باستعمال تقنية التيار المحرض من طرف الحزمة الالكترونية المصطدمة.